PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN