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控制/仪器仪表
等离子诱导QWI对InP_InGaAsP结构的影响
日期:2015-09-22 大小:0.77M
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为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA
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