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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧

 
日期:2016-12-13       大小:0.05M    
IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
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