磁隔离的分类
基于磁隔离技术的磁耦种类繁多，有近200种型号，可分为多种类别：
一、按功能
1、通用型多通道数字磁隔离器：灵活的通道配置，用来替代之前的光耦产品；典型型号：ADUM1201、ADUM1411
2、隔离型RS-485收发器：高集成度及稳定性，改变传统的分立隔离方案；典型型号：ADM2483、ADM2587E
3、隔离型RS-232收发器：完全的数据隔离，以单芯片实现RS-232接口隔离；典型型号：ADM3251E
4、集成DC/DC的数字磁隔离器：集成电源隔离，使隔离电路设计更简化；典型型号：ADUM5401、ADUM5402
5、双向信号磁隔离器：实现单路通道双向隔离，适用于1-wire、2-wire总线；典型型号：ADUM1250
6、门级驱动型磁隔离器：提供高边及低边控制信号隔离，直接驱动MOS管；典型型号：ADUM5230
7、USB总线磁隔离器：业界首款USB总线信号隔离器；典型型号：ADUM4160
8、隔离型A/D转换器：16位Σ-Δ型ADC与磁隔离技术的结合。典型型号：AD7400、AD7401
二、按隔离电压（1分钟测试结果）
1000Vrms、1667Vrms、2500Vrms、3750Vrms、5000Vrms等。
三、按传输速率
460Kbps、500Kbps、1Mbps、1.5Mbps、10Mbps、16Mbps、
20Mbps、25Mbps、90Mbps、120Mbps、150Mbps等。
四、按传输通道
单通道、双通道、三通道、四通道、五通道等。
五、按封装
SOIC-8、SOIC_W-16、SOIC_W-20、QSOP-16等。
磁隔离的特性
磁隔离的特性有：高性能、低功耗、可靠性、长寿命、易用性、小封装。
一、高性能
磁耦能够在低功耗的条件下实现150Mbps的高速数据隔离，光耦鲜有如此高的传输速率，实现同样高的传输速度，磁耦比光耦有着更高的性价比。磁耦芯片内部含有施密特电路，能够对输入输出的电路滤波整形，因此可直接与各种高速控制芯片直接连接，如：DSP、ARM、PLC等。
二、低功耗
磁耦基于芯片级变压器传输原理，信号传输时几乎不存在能量损耗，因此能以极低的功耗实现高度的数据隔离。相同速率下，其功耗仅为光耦的1/10~1/6。
三、可靠性
磁耦消除了与光耦合器相关的不确定的电流传送比率、非线性传送特性以及随时间漂移和随温度漂移问题；磁耦均带有25KV/us的瞬态共模抑制能力，且能够在电压差峰值560V的环境下正常工作。磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V /10sec的电压隔离保护，多种型号的磁耦带有±15KV的ESD保护。
四、长寿命
采用芯片级变压器技术传输信号，消除光耦传输时的器件损耗。器件内部基本不存在损耗，正常工作条件下至少达到50年工作寿命。
五、易用性
磁耦的小体积及多种通道配置，是电路设计更加简洁，应用更加灵活。集成的多种接口收发器使得接口隔离电路集成度更高，线路连接大大减少。
六、小封装
磁隔离技术是通过采用晶圆级工艺直接在片上制作直径约500um的变压器来实现的。利用此平面变压器的独特特征以及一些创新的电路设计，磁隔离产品可以在不影响性能的前提下，在一个封装内集成许多不同的特性与功能。磁耦采用的标准封装：SOIC- 8、SOIC_W-16及SOIC_W-20等。
磁隔离的技术
磁隔离技术核心是穿越隔离阻障发射与接收信号的平面变压器。这些变压器完全由标准半导体制造工艺进行集成，变压器由被聚酰亚胺层分开的两个线圈组成，聚酰亚胺层起到隔离阻障的作用。每个线圈的直径大约是500?m,匝数15。顶部线圈粗4?m，采用金材料制成；底部线圈粗1～2?m，采用铝材料制成。
在开发数字隔离器时，确实需要考虑这些平面、芯片级的变压器的某些独特特性；还可以利用这些特性生产出创新的数字隔离器。
磁隔离的原理
首先，iCoupler变压器是空心变压器—没有磁芯。为了实现紧密互耦，我们将两个15匝、直径500?m的线圈直接堆叠，空隙仅为20?m。这使得耦合系数大于0.8。
其次，iCoupler变压器具有非常高的带宽。顶部与底部线圈的自激频率分别是1 GHz与400 MHz，线圈之间的电容小于0.3 pF。高带宽与小电容意味着iCoupler能够提供极高速的数字隔离。
第三，iCoupler变压器线圈具有低电感、高阻抗，每个线圈的电感大约是110 nH，顶部金线圈阻抗是25Ω，底部铝线圈阻抗是50Ω。这样的L/R比值使得低频信号无法直接通过—如果输入信号的脉宽大于L/R比或是只有几纳秒，变压器很容易电流饱和。
为了摆脱这些线圈的低频限制，我们采用创新的编码电路通过变压器传输仅1～2 ns宽的脉冲，而不管输入信号的频率。解码电路由这些1～2 ns宽的脉冲重新恢复出输出信号。这种编码/解码方法允许iCoupler产品传输直流和高频信号。
