双极型晶体管分类
晶体管按结构可分为：ＮＰＮ型管和ＰＮＰ型管；按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管；按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管
双极型晶体管结构
ＢＪＴ由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
基区（Ｐ）：很薄，空穴浓度较小——引出基极ｂ。
发射区（Ｎ）：与基区的接触面较小——引出发射极ｅ。
集电区（Ｎ）：与基区的接触面较大——引出集电极ｃ。
双极型晶体管特性
双极型晶体管输出特性可分为三个区 ：
★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。此时，晶体管失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。
★放大区：发射结正偏，集电结反偏。
★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区ＩＣ不受ＩＢ的控制，管子失去放大作用。如果把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。
放大区的特点是：
◆ＩＣ受ＩＢ的控制，与ＵＣＥ的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流ＩＢ控制的电流源。
◆在放大区电流电压关系为：ＵＥ＝ＥＣ－ＩＣＲＣ， ＩＣ＝βＩＢ
◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流ＩＢ对集电极电流ＩＣ控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数ｂ越大。
◆伏安特性最低的那条线为ＩＢ＝０，表示基极开路，ＩＣ很小，此时的ＩＣ就是穿透电流ＩＣＥＯ。
◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。
双极型晶体管工作模式
ＢＪＴ工作模式
模式
EBJ
CBJ
截止
反偏
反偏
放大
正偏
反偏
反向放大
反偏
正偏
饱和
正偏
正偏
