真空传感器结构
真空传感器由玻璃衬底、下电极、绝缘层、硅膜片( 上电极) 、上层密封用的玻璃组成, 其中下电极溅射在玻璃衬底上, 电极上生长一绝缘层; 硅膜是利用硅片的双面光刻、扩散和各向异性腐蚀技术形成的。该电容式真空传感器有两个腔体, 其中上面的腔体是一个真空腔, 下面的腔体是键合形成的, 这个腔体不是密封的, 腔内气体与外界气体相通。电容器的两平板间的距离可由硅片腐蚀的深度控制, 硅膜片与玻璃电极之间的间隙很小, 这也是硅电容式传感器灵敏度高的原因。真空传感器的工作原理
真空度是指低于大气压力的气体的稀薄程度,通常以压力来表示真空度,压力高意味着真空度低,压力低意味着真空度高。由于真空传感器上面的腔体是真空腔体,在大气压力下,作为传感器敏感元件的硅膜片在压力的作用下会向上鼓起。当真空传感器下面腔体内的真空度不同时,硅膜片向上鼓起的程度就不同,硅膜片向上鼓起使得电容两极板之间的距离发生变化,根据平板电容的公式可知电容也随之发生化,真空度与电容值是对应的,电容值随着真空度的变化而变化。由于电容值与真空度的关系,电容值的变化通过测量电路转换为电压或频率信号,检测电压或频率信号可以得到对应的真空度。真空传感器的技术指标
1. 测量范围 1×10-4~1000Torr,1×10-4~1333mbar,1×10-2Pa~133kPa
2. 解析率 1×10-4 Torr,1×10-4 mbar,1×10-2Pa
3. 工作温度 0~50℃
4. 烘烤温度 150℃(仅限于表,电子元件移除)
5. 工作湿度 0~95%RH,非冷凝
6. 安装方向 水平(建议)
7. 接液材质 镀金钨,304 和316 不锈钢,玻璃,镍,特氟龙
8. 内部容积 26cm3(1.589in3)
9. 内部表面面积 59.7cm2(9.25in2)
10.泄漏率 <1×10-9atm cc/sec He
11.重量 85g(3oz)