HIT电池概述
HIT太阳能电池是采用HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20.7%,开路电压达到719 mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT太阳能电池按单位面积计算的发电量保持着世界领先水准。HIT具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点,是一种低价高效电池。HIT的转化效率越高,意味着它更加具有可与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。HIT电池的优点
低温制备:成本优势
发射极很薄:低吸收
宽带隙发射极:低吸收,高Voc
高Voc:高转换效率
低温度系数(转换效率对温度不敏感):在温度高地区使用
高耐辐射性能:可应用在宇宙空间中
HIT电池的工艺流程
1.硅片清洗制绒
2.正面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜
3.背面用PECVD制备 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜
4.在两面用溅射法 沉积透明导电氧化 物薄膜
5.丝网印刷制备电 极
HIT电池面临的挑战
1 非晶硅太阳电池的研究,现在主要着重于改善非晶 硅膜本身性质,以减少缺陷密度。严格控制a-Si/cSi界面质量,不断降低缺陷态密度。
2 优化光陷,降低反射率。
3 提高透明导电膜的电导率,透射率。
4 降低金属栅线的接触电阻。