静电放电是指产品在制造、运输与安装过程中，如果处理不当，产品会受到静电放电或者浪涌电压的冲击，从而造成产品的损伤或者破坏。

由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强

基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式...

基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频...

自智能手机问世起，移动电源也一直亦步亦趋地跟随发展，从最初的单一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片还有到现在一体化的单芯片方案。本方案采用目...

Vishay Siliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算、消费及照明市场的高压MOSFET(HVM)。我们拥有电压范围为50 V至1000 V的广泛器件，其中采...

回望在电子产品领域奋战的20年，我们已走过了漫漫长路。2015年正发布的组件具有无与伦比的精细度和集成度。处理器速度更快，发光二极管（LED）亮度更...

关于模块电源，其超高的功率密度一直被设计者们称道。但实现超高功率的同时，散热性能差的缺点也暴露出来，设计者们虽然能够对一些特定的设计进行改进...

隔离电源模块可以高效解决各种端口干扰，开关芯片转换出各种系统所需电压，LDO给MCU处理器提供稳定可靠的电能。电源模块与芯片方案需要互助互补，各取...

近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、...

开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关...

高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容...

相比同等MOSFET，IGBT具有较低的箝位能力。在IGBT和MOSFET之间选择时，必须考虑逆变器输入的直流总线电压、功率定额、功率拓扑和工作频率。IGBT通常用...

本文将介绍功率MOSFET(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环

过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到

汽车上许多组建的多元应用，从车上的灯泡到继电器、从LED显示照明到启动马达，不仅提供了各式各样的高负载型、低成本效益的解决方案，

据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFET