霍尔效应磁传感器的工作原理如图2-2所示。如果沿矩形金属薄片的长方向通电流I,由于载流子受洛仑兹力作用,在垂直于薄片平面的方向施加强磁场B,则在其横向会产生电压差U,其大小与电流I、磁场B和材料的霍尔系数R成正比,与金属薄片的厚度d反比。100多年前发现的霍尔效应,由于一般材料的霍尔系数都很小而难以应用,直到半导体问世后才真正用于磁场测量。这是因为半导体中的载流子数量少,如果给它通的电流与金属材料相同,那么半导体中载流子的速度就更快,所受到的洛仑兹力就更大,因而霍尔效应的系数也就更大。霍尔效应磁传感器的优点是体积小,重量轻,功耗小,价格便宜,接口电路简单,特别适用于强磁场的测量。但是,它又有灵敏度低,噪声大,温度性能差等缺点。虽然有些高灵敏度或采取了聚磁措施霍尔器件也能用于测量地磁场,但一般都是用于要求不高的场合。