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2012年我国传感器发展的重点

   日期:2012-04-20    

  2012年传感器发展重点

  传感器技术

  1、MEMS工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺:深反应离子刻蚀(DRIE)工艺或IGP工艺;封装工艺:如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器:如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器,汽车专用压力、加速度传感器,环保用微化学传感器等。

  2、集成工艺和多变量复合传感器微结构集成制造工艺;工业控制用多变量复合传感器,如:压力、静压、温度三变量传感器,气压、风力、温度、湿度四变量传感器,微硅复合应变压力传感器,陈列传感器。

  3、智能化技术与智能传感器信号有线或无线探测、变换处理、逻辑判断、功能计算、双向通讯、自诊断等智能化技术;智能多变量传感器,智能电网传感器和各种智能传感器、变送器。

  4、网络化技术和网络化传感器传感器网络化技术;网络化传感器,使传感器具有工业化标准接口和协议功能。

  我国传感器的技术和产品,经过发展,有了较大的提高。全国已经有1600多家企事业单位从事传感器研制、开发、生产。但与国外相比,我国传感器产品品种和质量水平,尚不能满足国内市场的需求,总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。存在的主要问题有:

  1、科技创新差,核心制造技术严重滞后于国外,拥有自主知识产权的产品少,品种不全,产品技术水平与国外相差15年左右。

  2、投资强度偏低,科研设备和生产工艺装备落后,成果水平低,产品质量差。

  3、科技与生产脱节,影响科研成果的转化,综合实力较低,产业发展后劲不足。

 
标签: 传感器 MEMS工艺
  
  
  
  
 
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