这意味着缩小的电流回路,缩小的分支走线长度,而电磁辐射近似正比于电流回路的面积;同时小体积特征意味着高密度引脚封装器件可以被使用,这又使得连线长度下降,从而电流回路减小,提高了电磁兼容性能。总结如下:
·扩大线间距。
·尽可能少走平行线。
·减少线长。
·不走环形线。
.其他采用的技术
为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲,应添加去耦电容。这可以有效去除电源上毛刺的影响,并减少在印制板上的电源环路的辐射。
当去耦电容直接连接在集成电路的电源管脚上,而不是连接在电源层上时,其平滑毛刺效果最好。这就是为什么有一些器件插座上带有去耦电容,而有的器件要求去耦电容与器件能距离要足够小。
任何高速和高功耗的器件应尽量放置在一起,以减少电源电压瞬时过冲。如果没有电沥层,那么长的电源连线会在信号和回路间形成环路,成为辐射源和易感应电路。
走线构成一个不穿过同一网线或其他走线的环路的情况称为开环。如果环路穿过同一网线或其他走线则构成闭环。两种情况都会形成天线效应(线天线和环形天 线)o天线对外产生EMI辐射,同时自身也是敏感电路。闭坏是一个必须考虑的问题,因为它产生的辐射与闭环面积近似成正比。