如图5.3-13所示。这种电路的特点是把石英谐振器作为串联谐振电路使用。L、C1和C2组成的振荡回路调谐于晶体JT的FB处，在此频率上，晶体呈现很低阻抗，反馈信号很强，振荡电路在FA上细胞质振荡。对于其他频率.
由于晶体的阻抗迅速增加，反馈减弱，不能产生振荡。所以，振荡频率由晶体控制，稳定性高。
晶体置于由两级共发放大器组成的正反馈电路，可构成适于低频的串联晶体振荡电路。
图5.3-14示出了几个实用的串联晶体振荡电路。图5.3-14A是BDZ-3-1型三路载波终端机主振荡器用的9KHZ串联型晶体振荡电路。当晶体等效电感同负载电容CL串联谐振时，阻抗最小，正反馈最强，振荡得以产生，基工作频率稍高于晶体的FSO第一级放大（V1）集电极负载采用LC调谐回路，利用它的选频作用，输出端得到较好的正弦波电压。调节CL，可使频率达至标称值。
在图5.3-14B所示的电路中，晶体工作在感性区，电路的工作频率稍高于晶体的FAO调节电位器RW以调节反馈量的大小，可获得良好的正弦波输出。
图5.3-14C所示电路中，不用负载电容CL（CL=∞），振荡电路的工作频率等于晶体的FAO电位器RW的作用与图5.3-14B中的RW相同。
图5.3-14D所示电路为适用于高频的串联型晶体振荡电路，选用JA15型晶体系列工作频率可
以在1~20MHZ之间。按图中标出的元件数值，可得到1MHZ的振荡频率。
晶体振荡器的分类
利用CMOS门设计晶体振荡器
