晶体管和二极管区别
首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。
半导体二极管及其特性
半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。
点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。
面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。此P型晶体与末熔化的N型晶体组成P—N结。
点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。
常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：
1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。
2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。
3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。这时二极管失去整流性能。
4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。
晶体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
晶体三极管及其工作原理
晶体三极管系由俩个P—N结组合而成。根据组合方式的不同，有PNP型及NPN型两种。它们的工作原理是完全相同的。
晶体三极管的制造方法有生长法、合金法和扩散法等数种。出于生长法工艺复杂，质量控制困难，目前已被淘汰。合金法工艺简单，价格低廉，目前多采用此法生产。国产3AXl—5型晶体管即采用合金法制成。合金法制成的晶体管的缺点是结的厚度不易精确控制，因而工作频率不高。
扩散法的优点是P—N结的厚度可以精确控制，能获得很薄的扩散层，因而工作频率可以大大提高。国产3AGll一14即属此型，适易在高频下工作。
晶体三极管共有三个不同的导电区域，例如两个P型区夹着一个N型区(P—N—P)，或两个N型区夹着一个P型区N一P—N)，就做成了晶体三极管的基本部分——管芯。在每两个导电区之间都形成一个P—N结，所以无论是哪一种晶体三极管，都含有两个P—N结。按照它们不同的作用，分别叫做发射结和集电结。两个结把一块完整的晶体分成三个区。如果两边是空穴导电的P型区，而中间是电子导电的N型区，我们就称它为P—N—P型晶体三极管，反之，如果两边是N型区，中间是P型区，就叫N—P—N型晶体三极管。晶体三极管的三个区域，根据作用的不同，分别叫做发射区、基区和集电区，它们是三极管的三个电极，分别叫做发射极、基极和集电极。为方便起见，常以拉丁字母e、b、c表示。
晶体三极管的工作原理基本上可以用它的放大作用来解释。因为，放大原理是晶体管一切工作的基础。
我们知道，在P一N结两端不加电压，电子和空穴的扩散受P—N结势垒电压的阻止，无法继续进行。还知道：加正向电压可使P—N结阻挡层势垒电压降低，扩散就能够继续进行；如果加反向电压，将增高势垒电压，扩散就停止。
现在假定：在晶体三极管的发射结加正向电压(P区接电池正极，N区接负极)，集电结加反向电压(P区接电池负极，N区接正极)。这时，发射结势垒降低，扩散能够进行，于是基区的电子跑向左边的发射区，发射区的空八跑向基区。如果用Ib代表从发射结注入基区的空穴电流，用Ic代表从发射结注入发射区的电子电流，那么，从发射结流出的总电流Ie等于两者之和。
在实际晶体管中，为了适应需要，人们设法使基区少掺些杂质，所以它的电子远比发射区的空穴少，因此电子电流远小于空穴电流，以至于Ib可以忽略不计，这时Ie＝Ic。
这样一来，可以明显地看出，发射极的作用就是向基区发射空穴，就好象电子管的阴极是专门发射电子一样。
大量的空穴到达基区以后，由于基区做得很簿，空穴很容易渡越基区跑到集电结的边缘。集电结上加有几伏甚至几十伙的反向电压，这个电压对空穴来说是能帮助空穴进入集电区的。也就是况，带正电的空穴一赶到集电结的左边，就受到集电结右边P区的负电压作用，被吸引过去，然后与外电路的电池送来的电子复合，形成集电极电流Ic。
但是，并不是所有扩散到基区的空穴都能被集电极吸引，形成集电极电流。因为在空穴路过基区的时候会和基区(N型区)的多数载流子—电子互相吸引，和电子复合而消失，加之上述基区也有少量的电子会跑到发射区去和空穴复合，形成Ic，这两种复合都需要由外电路电池供给负电子，所以形成了基极电流Ib。但因为基区很清(厚度只有万分之一米)，空穴穿过基区的时间只有几亿分之一秒，所以复合的数量是很小的，绝大部分空穴都达到集电极，故集电极电流Ic几乎等于发射极总电流Ie。
这是一个模拟晶体管工作状态的FLASH，你现在就可以填入数字或直接按Push开始。
上面讲的是只加固定电压而未加输入交流信号的情况。在加入输入信号之后，加到发射结上的电压就等于电池电压Veb和信号电压之和，由于信号电压是不断变化的，发射结上的电压也就随着信号电压在变动，因而引起发射结阻挡层势垒的高低也作相应的变化。势垒高时，发射极电流Ie小，势垒低时Ie大也就是发射极电流Ie会随着输入电压变化而变化。发射极电流Ie大就说明到达基区的空穴多，穿过基区到达集电结的空穴也就多，结果集电极电流Ic也就大，反之，发射极电流Ie小时，集电极电流也会小。同时，我们也会想象到发射极电流Ie大时，空
穴在基区的复合数目也会多些，Ie小时复合也相应少些，复合电流也是变化的。不过这种变化，由于复合电流本来就很小，和Ie或1c的变化相比是很小的，可以忽略。在这里我们用△Ie代表发射极电流的变化数量，用△Ic代表集电极电流的变化数量。
若用△R代表发射结的交变电阻，R代表负载电阻，我们很容易算出电压放大倍数K。如果以Vo表示集电极电流△Ic在负载R上产生的输出电压，Vin表示输入电压，那么
K=Vo/Vin=(△IcR)/(△Ie△R)≒R/△R
由于发射结上加的是正向电压，这个电压变化一点点，流过结的电流就会有很大变化，所以发射结电阻△R是很小的，一般只有几十欧。我们知道P—N结的正向电阻很小，而P—N结的反向电阻却很大，所以集电结的电阻很大，可达几百千欧。因此负载电阻R也可以用的很大(阻抗匹配)，R一般是几千欧到几十千欧，所以R／△R就很大，因此从负载上取出的输出信号电压Vc远比输入信号电压Vin大，被放大了很多倍。这就是晶体三极管放大信号的道理。
