一、磁敏传感器的发展特点
1.集成电路技术的应用。将硅集成电路技术应用于磁敏传感器,制成集成磁敏传感器。
2.InSb薄膜技术的开发成功,使得霍尔器件产能剧增,成本大幅度下降。
3.强磁体合金薄膜得到广泛应用。各种磁阻器件出现,应用领域广泛。
4.巨磁电阻多层薄膜的研究与开发。新器件的高灵敏度、高稳定性,引起研制高密度记录磁盘读出头的科技人员的极大关注。
5.非晶合金材料的应用。与基础器件配套应用,大大改善了磁传感器性能。
6.Ⅲ—V族半导体异质结构材料的开发和应用。通过外延技术,形成异质结构,提高磁敏器件的性能。
二、国外磁敏传感器的现状
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1.国外磁传感器的常见种类
就市场占有情况来看,国外磁敏传感器主要品种依然是霍尔元件、磁阻元件。近期的巨磁阻元件也有良好的发展空间。
2.外磁传感器的代表厂商:
·霍尔元件:日本旭化成;日本东芝;美国Honeywell公司;美国Allogro公司。
·磁阻器件:日本SONY公司;荷兰PHILIPS公司。
3.国外磁传感器的应用情况
磁敏传感器应用的最大特点是无接触测量。
·霍尔元件:
电流检测,做电流传感器/变送器的一次元件。
直流无刷电机,用于检测转子位置并提供激励信号。
集成开关型霍尔器件的转速/转数测量。