功率MOSFET的失效机制主要分为以下几类：
ElectroStaticDischarge (ESD) - 静电放电
Avalanche 击穿 - 雪崩击穿
超出SOA（Safe Of Area）or ASO(Area of Safe Operation)- 超出安全工作区
内部寄生二极管击穿
一）静电放电
静电放电是指产品在制造、运输与安装过程中，如果处理不当，产品会受到静电放电或者浪涌电压的冲击，从而造成产品的损伤或者破坏。
静电放电对MOSFET的危害通常来自于放电电压对于MOSFET驱动极的冲击和破坏。驱动极如果遭到破坏，通常会表现为MOSFET驱动极与源极短路，耐压跌落或者漏电流增加等。
对于静电放电通常有以下几种应对措施。
二）Avalanche(雪崩)击穿
1. Avalanche 测试线路
2. Avalanche 雪崩电流和能量
3. Avalanche 击穿应对措施
三）超出SOA工作安全区
MOSFET的SOA（安全工作区）已在本公众号“MOSFET应用参数理论详解”一文中进行了详细介绍，本篇不再赘述。
1. Power MOSFET 损耗计算
2. Power MOSFET损耗计算举例
3. 超出SOA或者ASO工作区的应对措施
四）内部寄生二极管失效
1. Power MOSFET的内部结构和等效电路
2. 全桥线路举例，二极管失效通常发生在内部二极管反向恢复时间内
3. 内部二极管击穿应对措施
五）MOSFET击穿后芯片不同表现
