FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)，即铁电随机存取存储器，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。FRAM是近几年新兴的一种存储解决方案，其独特的性能优势引起了特定行业的青睐。
FRAM三大性能优势
与FLASH、EEPROM等传统的非易失性存储器相比，FRAM主要具有三大特性，首先是高速烧写的特性，实现实时存储数据，帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题。其次是高读写耐久性，可以频繁记录操作历史和系统状态。最后是具有低功耗的强大优势，写入数据时，无需升压。
FRAM实现无电池划时代提案
富士通高级产品工程师伍宏杰先生表示，“恰恰是FRAM高速读写的特性，决定了FRAM可以实现在无电池或是突然断电的情况下实现读写，避免数据的丢失。”同时由于可以省去后备电池，有利于大幅度缩小PCB板安装空间的面积。不仅如此，更是实现了节能环保和系统成本的大幅度降低。
FRAM广泛的应用领域
FRAM的特性决定了其广泛的应用领域，一般对读写速度、读写耐久性、低功耗有特定要求的领域都比较适合采用FRAM这种储存解决方案。除了优势产业之外，RFID医疗器具、可再生能源、智能水/气/热表、助听器等新业务领域对FRAM也有大量需求，这个市场潜力巨大，富士通半导体也将发展这部分市场的业务。
富士通半导体占FRAM市场半壁江山
全球领先的FRAM供应商富士通半导体，在FRAM存储解决方案的应用领域中占有一定的市场份额。据统计，从1999年到目前为止，近15年间，富士通FRAM铁电存储器产品的累计交货量超过23亿片。
中国FRAM大市场，富士通战略布局
2009年富士通开始进入中国市场，富士通的FRAM在中国的出货量达到5000万片。伍宏杰先生表示，“中国是富士通FRAM继日本之后的第二大市场。”伍宏杰先生强调，“富士通将进一步扩大产品阵容，提供更加全面的供货服务和技术支持，以满足中国以及全球的消费者需求。”
