现阶段，无线连接市场发展迅速，市场规模不断扩张，其中主要驱动力是移动设备以及物联网应用的爆发式增长。在无线连接中射频前端芯片有着关键的作用，目前 主要采用GaAs或SiGe工艺，但由于其材料的稀缺性及工艺的复杂性，射频前端芯片的良率并不高，而RFaxis公司采用行业标准的bulk CMOS技术制造射频前端芯片，能够提升射频前端芯片生产水平，并降低成本。
CMOS工艺优势巨大
RFaxis的产品线主要以wifi以及一些IoT应用为主，公司拥有多项专利。
RFaxis 的主要产品是RFIC，主要应用在射频前端部分，射频前端的主要功能是连接射频接收器和天线，用以增大输出功率、提高接收灵敏度、增加传输速率及距离。传 统的RFIC由各自独立的PA、LNA(低噪声放大器)、SWITCH(开关)和分立器件所组成，采用GaAs工艺将其结合在一个模块里。另外，也有采用 SiGe工艺的产品，但是同样的，其集成度远低于纯CMOS工艺产品。
“通过X光照发现，竞争对手的产品至少在一个芯片内都有两个裸片，这些裸片会通过wire bonding连接在一起，而我们的芯片是完全由一个单裸片所组成，而且这样性能会更加优化。” RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan说。
图 1 芯片X光照对比
RFaxis 号称是全球唯一一家可以提供纯CMOS工艺生产RFIC的公司，同时，采用CMOS工艺生产的芯片，与包括Avago、Qorvo(RFMD与 Triquint合并之后的新公司)在内的竞争对手相比，性能相当。而且因为采用的是纯CMOS工艺生产，使得产品无论是工艺还是交货周期都优于GaAs 工艺。
Biagan说:“总结起来，我们的产品的优势是：一 成本更低;二 集成度更高;三 超越竞争对手的性能;四 更好的ESD保护性能，这是因为CMOS工艺的电导性更好，工作温度也更高;五 客户的外部电路更简单，客户更易于开发，系统成本也更低。”
在整个半导体行业，GaAs及SiGe相对于CMOS来讲只是非常小的一个部分，在2013年，以纯硅工艺的产品市场规模已经达到了430亿美金， 截止2012年，GaAs及SiGe只有10亿美金的市场规模，远小于CMOS工艺。GaAs及SiGe是非常稀缺的资源，未来无线通讯发展将受限于这类 资源的稀缺性。这就是为什么最近4G LTE市场爆发，但是竞争对手无法及时交货的原因。
Biagan表示，传统GaAs工 艺的晶圆采用6英寸的工艺，其成本远大于1000美元，而RFaxis采用0.18μm 8英寸晶圆的成本则小于1000美元，也就是说RFaxis的晶圆比竞争对手的面积大了0.78倍，但是价格还更便宜，所以RFaxis单颗的裸片成本远 远小于GaAs工艺。另外，GaAs是特殊工艺，其良品率远低于CMOS工艺。
图 2 单裸片成本拥有优势
在2013年的北美微波论坛上，有这样一个议题：CMOS工艺的出现是否导致GaAs工艺的灭亡。这个议题的出现昭示着在大众产品市场，CMOS工艺将逐步取代GaAs工艺。
另外，2014年，CMOS工艺产品的市场规模是7百元美元的市场规模，到2018年，CMOS射频器件将会增加100倍。
图 3 CMOS射频器件增长快速
目前，物联网快速发展，RFaxis的产品广泛应用于智能家居、智能电表、智能工业等应用领域，一些咨询公司预测，到2025年，物联网市场规模将达到千亿美金。RFaxis将重点发力该市场。
图 4 物联网市场增长预测
RFaxis的产品主要用在路由器、电脑、移动设备、网关以及其他物联网等应用。
高通、博通、marvell等主芯片 提供商的多个产品采用了RFaxis的射频前端芯片。“另外，随着技术的演进，wifi正在朝 802.11ac的方向发展，在今年的第四季度我们可以提供40nm 802.11ac射频前端的样品，而且，今后将以802.11ac为主。” Biagan说。
图 5 RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan
RFaxis现有的产品囊括了许多2.4G和5G射频前端等中功率产品，另外，也有少量2.4G及5G的大功率功放。“我们的产品跟许多竞争对手的产品都是可以pin to pin替换的，这样使得客户更方便地采用我们的产品。” Biagan说道。随后，他介绍了部分市场表现优异的产品。
大功率功放RFX240被许多领先厂商采用。
RFX8050/8051得到高通创锐讯XB143参考设计平台的采用，也受到高通的极力推荐。
